[웹이코노미=김민호 기자] 4일 삼성전자는 초고속 D램 '플래시볼트(Flashbolt)'를 출시했다고 밝혔다. 플래시볼트는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 HBM(고대역폭 메모리) 2E D램으로 기존 2세대 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다.

앞서 삼성전자는 지난 2018년 2세대 8GB HBM2 D램 '아쿠아볼트(Aquabolt)'를 세계 최초로 개발해 업계에서 유일하게 양산에 성공한 바 있다. 이번에 출시된 3세대 HBM2E D램 '플래시볼트'는 기존 아쿠아볼트보다 성능이 크게 개선됐다.

삼성전자는 "이번에 출시한 플래시볼트는 1개의 버퍼 칩 위에 16기가비트(Gb) D램 칩(10나노급) 8개를 쌓아 16GB 용량을 구현한다"며 "16Gb D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV(실리콘 관통 전극) 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다"고 설명했다.

특히 이 제품은 신호전송 최적화 회로 설계를 활용해 총 1024개의 데이터 전달 통로에서 초당 3.2기가비트의 속도로 410기가바이트의 데이터를 처리한다. 풀HD(5기가바이트) 영화 82편을 1초에 전달할 수 있는 수준이다.

삼성전자는 2020년 플래시볼트를 양산해 기존 인공지능 기반 초고속 데이터 분석과 고성능 그래픽 시스템을 개선하고 슈퍼컴퓨터의 성능 한계를 극복해 차세대 고성능 시스템 적기 개발에 기여한다는 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 최철 부사장은 "역대 최고 성능의 차세대 D램 패키지 출시로 빠르게 성장하는 프리미엄 시장에서 사업 경쟁력을 계속 유지할 수 있게 되었다"고 말했다. 이어 그는 "향후 더욱 차별화된 솔루션을 제공해 독보적인 사업 역량을 강화시켜 나갈 것"이라고 강조했다.

김민호 웹이코노미 기자 webeconomy@naver.com