[웹이코노미 이진수 기자] 김경록 UNIST(울산과학기술원) 전기전자컴퓨터공학부 교수 연구팀이 세계 최초로 대면적 실리콘 웨이퍼에서 '초절전 3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)'를 구현하는데 성공했다. ◇ 3진법 반도체 : 4차산업 핵심기술, 초절전·고성능·소형화 등에 장점 '3진법 반도체'는 현재 반도체 업계가 당면한 기술 수준 향상 문제를 해결할 핵심 기술로 주목받고 있다. 반도체 업계는 그간 지속적으로 반도체 소자의 크기를 줄여 집적도를 높여왔다. AI, 자율주행, 사물인터넷 등 대규모 정보를 빠르게 처리하는 고성능 반도체를 만들기 위함이다. 또한 업계는 현재 2진법 기반의 반도체에서 정보 처리 시간 단축과 성능 대비 상승하는 소비전력을 줄이기 위해 고민해왔다. 김경록 교수 연구팀이 개발한 3진법 반도체는 0, 1, 2 값으로 정보를 처리한다. 처리해야 할 정보의 양이 줄어 계산 속도가 빠르다. 덕분에 소비전력도 낮고 반도체 칩 소형화에도 장점이 있다. 김경록 교수 연구팀은 소비전력 급증의 주요 원인 중 하나인 누설전류를 효과적으로 활용했다. 누설전류는 3진법 반도체 소자에서 정보를 처리상태를 구현하는데 활용된다. 또한, 반도체가 누설전류의 양에 따라 정보를 3진법으로 처리하도록 구현했다. 김경록 교수는 "이번 연구결과는 기존의 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했으며, 3진법 반도체의 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"고 설명했다. 이어, "기존 2진법 시스템 위주의 반도체 공정에서 3진법 시스템으로 메모리·시스템 반도체의 공정, 소자, 설계 전 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도할 것"이라고 전했다. 이진수 기자 webeconomy@naver.com